Wykrycie zwarcia na linii zasilania RAM podczas diagnostyki to poważny, ale rozwiązywalny problem. Zwarcie może pochodzić z uszkodzonego modułu SO-DIMM, z gniazda RAM, lub z elementów regulatora VDDQ. Nasz serwis dysponuje sprzętem i metodami precyzyjnej lokalizacji i eliminacji zwarć na torach pamięci.
Jak wykrywamy zwarcie na linii RAM?
Zwarcie na linii zasilania RAM (VDDQ) jest wykrywalne jako bardzo niska rezystancja mierzona multimetrem między linią zasilania a masą. Zasilacz laboratoryjny z limitowaniem prądu pozwala podać napięcie z kontrolowanym prądem – przy zwartej linii prąd od razu osiąga limit. Kamera termiczna wskazuje element, który zwarcie jest: grzeje się od nawet małego prądu przepływającego przez zwarcie.
Lokalizacja źródła zwarcia
Lokalizację zwarcia przeprowadzamy etapami: wyjmij moduły RAM (czy zwarcie pochodzi z modułu?), odłącz elektryczny od gniazda RAM (czy zwarcie jest w gniazdach?), izoluj kolejne sekcje regulatora VDDQ (kondensatory, tranzystory). Kamera termiczna przy każdym etapie wskazuje element, który się nagrzewa – to źródło zwarcia.
Eliminacja zwarcia RAM
Po zlokalizowaniu zwierającego elementu: wymieniamy uszkodzony kondensator lub tranzystor w sekcji VDDQ, wymieniamy gniazdo RAM ze zwarciem wewnętrznym, lub wymieniamy moduł SO-DIMM ze zwartym chipem. Po eliminacji zwarcia mierzymy rezystancję ponownie – powinna wrócić do wartości normalnej (kilka kilohmów).
Test po eliminacji zwarcia
Po eliminacji zwarcia montujemy moduły RAM i testujemy start. Jeśli laptop startuje poprawnie, przeprowadzamy test memtest86+ potwierdzający brak błędów pamięci. Dopiero po bezbłędnym teście zamykamy przypadek i oddajemy laptopa klientowi.
